যখন একটি সিলিকন খণ্ডের কিছু অংশে ত্রিযোজী মৌল ($A$) এবং বাকি অংশে পঞ্চযোজী মৌল ($B$) ডোপিং করা হয়, তখন সিলিকন খণ্ডের ভেতরে একটি $p-n$ জাংশন তৈরি হয়। এর ফলে খণ্ডটি একটি $p-n$ জাংশন ডায়োড হিসেবে কাজ করে। $p-n$ জাংশন সৃষ্টির প্রক্রিয়া ও কার্যপদ্ধতি নিচে বর্ণনা করা হলো: ১. $p-n$ জাংশন গঠন: সিলিকনের যে অংশে ত্রিযোজী মৌল ($A$) ডোপিং করা হয়, সেখানে $p$-টাইপ অঞ্চল তৈরি হয়, যেখানে হোল (hole) সংখ্যা বেশি থাকে। অন্যদিকে, পঞ্চযোজী মৌল ($B$) ডোপিং করা অংশে $n$-টাইপ অঞ্চল তৈরি হয়, যেখানে মুক্ত ইলেকট্রন সংখ্যা বেশি থাকে। এই দুই অঞ্চলের সংযোগস্থলে একটি $p-n$ জাংশন সৃষ্টি হয়। ২. ব্যাপন ও নিঃশেষিত স্তর: জাংশন তৈরির সাথে সাথে $p$-অঞ্চলের হোলগুলো ব্যাপন প্রক্রিয়ায় $n$-অঞ্চলের দিকে এবং $n$-অঞ্চলের মুক্ত ইলেকট্রনগুলো $p$-অঞ্চলের দিকে যেতে শুরু করে। এর ফলে জাংশনের কাছাকাছি অঞ্চলে হোল ও ইলেকট্রনের পুনর্মিলন ঘটে এবং সেখানে আয়নিত পরমাণু অবশিষ্ট থাকে। এই অঞ্চলে কোনো মুক্ত চার্জ বাহক থাকে না বলে একে নিঃশেষিত স্তর (depletion layer) বলা হয়। ৩. বিভব প্রাচীর: নিঃশেষিত স্তরে সৃষ্ট আয়নগুলো একটি অভ্যন্তরীণ তড়িৎ ক্ষেত্রের সৃষ্টি করে, যা পরবর্তী চার্জ বাহকদের চলাচলকে বাধা দেয়। এই বাধাকে বিভব প্রাচীর (potential barrier) বলে। উপসংহার: এই যন্ত্রাংশটি মূলত রেক্টিফায়ার বা একমুখী কারক হিসেবে ব্যবহার করা যেতে পারে, যা পরিবর্তী তড়িৎ প্রবাহকে (AC) একমুখী তড়িৎ প্রবাহে (DC) রূপান্তর করতে সক্ষম।