গ. সিলিকন ($Si$) একটি চতুযোজী মৌল। যখন সিলিকনের সাথে ত্রিযোজী মৌল $A$ (যেমন: বোরন বা অ্যালুমিনিয়াম) ডোপিং করা হয়, তখন সিলিকনের কেলাস কাঠামোর প্রতিটি $A$ পরমাণু তার তিনটি যোজ্যতা ইলেকট্রন দ্বারা পার্শ্ববর্তী তিনটি সিলিকন পরমাণুর সাথে তিনটি সমযোজী বন্ধন গঠন করে। চতুর্থ বন্ধনটি গঠনের জন্য $A$ পরমাণুর কোনো ইলেকট্রন না থাকায় সেখানে একটি ইলেকট্রনের ঘাটতি বা শূন্যস্থান তৈরি হয়, যাকে 'হোল' (Hole) বলা হয়। এই হোলটি পূরণের জন্য পার্শ্ববর্তী কোনো সিলিকন-সিলিকন বন্ধন থেকে একটি ইলেকট্রন এসে হোলটি পূরণ করতে পারে। ফলে যেখান থেকে ইলেকট্রনটি আসে, সেখানে নতুন একটি হোলের সৃষ্টি হয়। এভাবে কেলাসের ভেতর হোলের স্থান পরিবর্তনের মাধ্যমে বিদ্যুৎ পরিবাহিতা বৃদ্ধি পায়। যেহেতু এখানে চার্জ বাহক হিসেবে ধনাত্মক হোল প্রধান ভূমিকা পালন করে, তাই এই ধরনের অর্ধপরিবাহীকে $p$-টাইপ অর্ধপরিবাহী বলা হয়।