(ক) লেঞ্জ-এর সূত্রটি হলো: তড়িৎচৌম্বকীয় আবেশের ক্ষেত্রে আবিষ্ট তড়িৎচালক শক্তি বা তড়িৎ প্রবাহের দিক এমন হয় যে, তা যে কারণে সৃষ্টি হয়, সেই কারণকেই বাধা দেয়। (খ) এসি (AC) প্রবাহ ডিসি (DC) অপেক্ষা বেশি বিপজ্জনক। কারণ, এসি প্রবাহের কার্যকর মান (RMS value) তার শীর্ষমানের চেয়ে কম হলেও, এর শীর্ষমান কার্যকর মানের $\sqrt{2}$ গুণ। ফলে একই কার্যকর মানের এসি ও ডিসি উৎসের মধ্যে এসি উৎসের ভোল্টেজ পর্যায়ক্রমে শীর্ষমানে পৌঁছালে তা মানবদেহের স্নায়ুতন্ত্র ও হৃদপিণ্ডের ওপর অনেক বেশি তীব্র প্রভাব ফেলে, যা ডিসি প্রবাহের ক্ষেত্রে ঘটে না। (গ) উদ্দীপক অনুযায়ী, এসি উৎসের ভোল্টেজের শীর্ষমান, $V_0 = 160 \text{ V}$। আমরা জানি, দিক পরিবর্তী প্রবাহের গড় ভোল্টেজ, $V_{\text{avg}} = \frac{2}{\pi} V_0 \approx 0.637 V_0$। $V_{\text{avg}} = 0.637 \times 160 \text{ V} = 101.92 \text{ V}$। সুতরাং, এসি উৎসের গড় ভোল্টেজ $101.92 \text{ V}$। (ঘ) হিটারের রোধ, $R = 100 \Omega$। এসি উৎসের ক্ষেত্রে কার্যকর ভোল্টেজ, $V_{\text{rms}} = \frac{V_0}{\sqrt{2}} = \frac{160}{\sqrt{2}} \approx 113.14 \text{ V}$। এসি সংযোগে হিটারের ক্ষমতা, $P_{\text{AC}} = \frac{V_{\text{rms}}^2}{R} = \frac{(113.14)^2}{100} \approx 128 \text{ W}$। ডিসি সংযোগে হিটারের ক্ষমতা, $P_{\text{DC}} = \frac{V_{\text{DC}}^2}{R} = \frac{120^2}{100} = \frac{14400}{100} = 144 \text{ W}$। যেহেতু $P_{\text{DC}} > P_{\text{AC}}$, তাই ডিসি সংযোগে হিটারটি বেশি কার্যকর।