চিত্রে প্রদর্শিত $Z$ পদার্থটি একটি অর্ধপরিবাহী (Semiconductor)। এর শক্তি ব্যান্ড এরূপ হওয়ার কারণ নিচে ব্যাখ্যা করা হলো:

১. শক্তি ব্যান্ডের গঠন: অর্ধপরিবাহীর ক্ষেত্রে যোজ্যতা ব্যান্ড (Valence Band) এবং পরিবহন ব্যান্ডের (Conduction Band) মধ্যবর্তী নিষিদ্ধ শক্তির ব্যবধান (Forbidden Energy Gap) খুব কম হয় (সাধারণত ১ ইলেকট্রন ভোল্টের কাছাকাছি)।

২. ইলেকট্রনের স্থানান্তর: পরম শূন্য তাপমাত্রায় ($0\text{ K}$) অর্ধপরিবাহীর যোজ্যতা ব্যান্ড পূর্ণ থাকে এবং পরিবহন ব্যান্ড সম্পূর্ণ খালি থাকে, ফলে এটি অন্তরক হিসেবে আচরণ করে। কিন্তু কক্ষ তাপমাত্রায় যোজ্যতা ব্যান্ডের ইলেকট্রনগুলো তাপীয় শক্তি গ্রহণ করে সহজেই এই ক্ষুদ্র নিষিদ্ধ শক্তি ব্যবধান অতিক্রম করে পরিবহন ব্যান্ডে চলে যেতে পারে।

৩. পরিবহন ব্যান্ডের অবস্থা: উদ্দীপকের চিত্রে দেখা যাচ্ছে, $Z$ পদার্থের পরিবহন ব্যান্ডে কিছু ইলেকট্রন উপস্থিত আছে। এটি নির্দেশ করে যে, কক্ষ তাপমাত্রায় যোজ্যতা ব্যান্ড থেকে ইলেকট্রনগুলো পরিবহন ব্যান্ডে উন্নীত হয়েছে, যার ফলে পরিবহন ব্যান্ডটি আংশিক পূর্ণ হয়েছে।

৪. উপসংহার: যোজ্যতা ব্যান্ড ও পরিবহন ব্যান্ডের মধ্যকার শক্তির ব্যবধান কম হওয়ায় ইলেকট্রনগুলো সহজেই পরিবহন ব্যান্ডে যেতে পারে, যা $Z$ পদার্থকে কক্ষ তাপমাত্রায় বিদ্যুৎ পরিবহনে সক্ষম বা অর্ধপরিবাহী হিসেবে গড়ে তোলে।